选择性湿法蚀刻InGaP层去除GaAs外延盖层工艺研究
关于澳门6合开彩开奖网站 / 2023-12-24
InGaP层去除GaAs外延盖层的选择性湿法蚀刻工艺 随着半导体技术的不断发展,人们对于材料的要求也越来越高。在半导体器件中,InGaP层去除GaAs外延盖层的选择性湿法蚀刻工艺是一项重要的技术。本文将从多个方面对这项技术进行详细的阐述,以期为读者提供更深入的了解。 一、背景介绍 InGaP材料具有较高的电子迁移率和光电子转换效率,因此在太阳能电池、LED等领域应用广泛。InGaP材料与GaAs材料之间存在晶格失配,因此在制备InGaP/GaAs异质结时需要在GaAs外延层上生长一层InGaP